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非易失存储器发展态势和挑战

撰稿：摄影：发布时间：2015年12月25日

主讲人：刘明院士
中国科学院微电子研究所

报告时间：2015年12月28日（周一）上午 10:00-11:30
报告地点：计算所四层报告厅

报告摘要：
非易失存储器是集成电路最重要的技术之一，广泛应用于信息、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究的各个领域，有着巨大的市场。目前主流的非易失存储技术—基于浮栅结构的“闪存”，尺寸微缩已接近其物理极限，难以继续提高其存储密度和性能来满足大数据时代对信息存储和处理的需求。本报告将介绍国际及中国存储器产业发展现状和面临的挑战、非易失存储器的学术研究态势及微电子所在该领域的研究进展。

主讲人简介：
刘明中国科学院微电子研究所研究员，从事微电子科学与技术的研究，研究兴趣主要是存储器机理模型、材料结构、核心共性技术和芯片集成等。973项目首席科学家、国家杰出青年基金获得者和基金委创新群体负责人。发表SCI收录论文150余篇, SCI引用超过2900次，6篇论文入选 ESI高被引论文榜。担任 “Applied Physics A” 的编辑、《中国科学》编委、Scientific Reports的编委会委员等。2015年当选中国科学院院士。

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